창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6661JTXP02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6661JTXP02 | |
| 관련 링크 | 2N6661J, 2N6661JTXP02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTV-14.7456MHZ-AK-E-T3 | 14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-14.7456MHZ-AK-E-T3.pdf | |
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![]() | CS98100-CM-EP | CS98100-CM-EP ORIGINAL QFP-208P | CS98100-CM-EP.pdf | |
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![]() | ST6C-GANGJ | ST6C-GANGJ N/A SMD or Through Hole | ST6C-GANGJ.pdf | |
![]() | YR-P5W | YR-P5W ORIGINAL SMD or Through Hole | YR-P5W.pdf | |
![]() | 9694390181 | 9694390181 PAPST SMD or Through Hole | 9694390181.pdf | |
![]() | 7E04TA-100M | 7E04TA-100M SAGAMI SMD or Through Hole | 7E04TA-100M.pdf | |
![]() | UPD48288209FF-EF25-DW1 | UPD48288209FF-EF25-DW1 NEC BGA | UPD48288209FF-EF25-DW1.pdf |