창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661JTX02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6661JTX02 | |
관련 링크 | 2N6661, 2N6661JTX02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | B43510B158M80 | 1500µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 80 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | B43510B158M80.pdf | |
![]() | B37930K5221J060 | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | B37930K5221J060.pdf | |
![]() | 416F40625IDR | 40.61MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40625IDR.pdf | |
![]() | CMF5540R200DHR6 | RES 40.2 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5540R200DHR6.pdf | |
![]() | Y079316K0000B0L | RES 16K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y079316K0000B0L.pdf | |
![]() | LT1647-3CGN | LT1647-3CGN LT SSOP16L | LT1647-3CGN.pdf | |
![]() | STP840 | STP840 ORIGINAL TO-220 | STP840.pdf | |
![]() | TR3B227M004 | TR3B227M004 VISHAY SMD or Through Hole | TR3B227M004.pdf | |
![]() | SR205C104KAATR2 | SR205C104KAATR2 AVX DIP | SR205C104KAATR2.pdf | |
![]() | CRC18410 | CRC18410 CRC SMD or Through Hole | CRC18410.pdf | |
![]() | UTCB772SSG | UTCB772SSG UTC SOT-23 | UTCB772SSG.pdf |