Vishay BC Components 2N6661JAN02

2N6661JAN02
제조업체 부품 번호
2N6661JAN02
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
데이터 시트 다운로드
다운로드
2N6661JAN02 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99,999.99999
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2N6661JAN02 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. 2N6661JAN02 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2N6661JAN02가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2N6661JAN02 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2N6661JAN02 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2N6661JAN02
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N6661(2)/2N6661JANTX(V)
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 단종/ EOLMil-QPL-Jfet 06/Jul/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황생산 종료
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)90V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C860mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대725mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-205AD, TO-39-3 금속 캔
공급 장치 패키지TO-39
표준 포장 20
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N6661JAN02
관련 링크2N6661, 2N6661JAN02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
2N6661JAN02 의 관련 제품
10000µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 25 mOhm 2000 Hrs @ 85°C ESMH800VND103MA50T.pdf
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6 DMA264030R.pdf
Infrared (IR) Emitter 880nm 1.8V 75mA 6mW/sr @ 50mA 18° Mini-pill SE2470-002.pdf
RES 33.2K OHM 0.4W 1% AXIAL MRS16000C3322FCT00.pdf
UCS5822H ORIGINAL CDIP UCS5822H.pdf
TP210 MORNSUN SMD or Through Hole TP210.pdf
7805CTG ON TO-220 7805CTG.pdf
70G6776 PHILIPS SOP 70G6776.pdf
ATS1400ES ORIGINAL BGA ATS1400ES.pdf
MMB0207-501%B2120K BCCOMPONENTS SMD or Through Hole MMB0207-501%B2120K.pdf
MB4207PS-G FUJITSU SIP8 MB4207PS-G.pdf
S21MD7 SHARP DIP-6 S21MD7.pdf