창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6661JAN02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6661JAN02 | |
| 관련 링크 | 2N6661, 2N6661JAN02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW251293K1BEEY | RES SMD 93.1K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251293K1BEEY.pdf | |
![]() | ADP151AUJZ-2.8-R7 | ADP151AUJZ-2.8-R7 AD SMD or Through Hole | ADP151AUJZ-2.8-R7.pdf | |
![]() | 6257C | 6257C ORIGINAL MSOP-8 | 6257C.pdf | |
![]() | TS79M12CZ | TS79M12CZ ORIGINAL TO-220 | TS79M12CZ.pdf | |
![]() | TMS320F2801-60 | TMS320F2801-60 TI LQFP-100 | TMS320F2801-60.pdf | |
![]() | S28AE | S28AE NS PLCC | S28AE.pdf | |
![]() | G6M-1ADC5V/DC24V | G6M-1ADC5V/DC24V OMRON SMD or Through Hole | G6M-1ADC5V/DC24V.pdf | |
![]() | TPS76132DBVT | TPS76132DBVT TI SMD or Through Hole | TPS76132DBVT.pdf | |
![]() | CDR35BX474AKWR | CDR35BX474AKWR AVX SMD or Through Hole | CDR35BX474AKWR.pdf | |
![]() | TV06B8V5KB-G | TV06B8V5KB-G COMCHIP SMB DO-214AA | TV06B8V5KB-G.pdf | |
![]() | SA9209CN | SA9209CN NS DIP8 | SA9209CN.pdf | |
![]() | ES3AN | ES3AN MDD/ NSMC | ES3AN.pdf |