창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6661-2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6661-2 | |
| 관련 링크 | 2N66, 2N6661-2 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MCR03ERTF8251 | RES SMD 8.25K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF8251.pdf | |
![]() | RNCS0603BKE825R | RES SMD 825 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RNCS0603BKE825R.pdf | |
![]() | MCP3422A1-E/MC | MCP3422A1-E/MC MIC SMD or Through Hole | MCP3422A1-E/MC.pdf | |
![]() | TTC151 | TTC151 ORIGINAL SMD or Through Hole | TTC151.pdf | |
![]() | J334/K2312 | J334/K2312 TOSHIBA TO-220F | J334/K2312.pdf | |
![]() | BU5839 | BU5839 ROHM DIP-18 | BU5839.pdf | |
![]() | SI5402DC | SI5402DC Vishay MLP-8 | SI5402DC.pdf | |
![]() | 5TTP1-R | 5TTP1-R BEL SMD or Through Hole | 5TTP1-R.pdf | |
![]() | XC2S1500-5FG456C | XC2S1500-5FG456C XILINX BGA | XC2S1500-5FG456C.pdf | |
![]() | CW2576CS | CW2576CS CW TO-220-5 | CW2576CS.pdf | |
![]() | FX6-50S-0.8SV(92) | FX6-50S-0.8SV(92) ORIGINAL Connector | FX6-50S-0.8SV(92).pdf | |
![]() | B32912A3154m000 | B32912A3154m000 EPCOS SMD or Through Hole | B32912A3154m000.pdf |