창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661-2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6661-2 | |
관련 링크 | 2N66, 2N6661-2 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT3809AC-C-33NE | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA | SIT3809AC-C-33NE.pdf | |
![]() | RT1206FRD0751K1L | RES SMD 51.1K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0751K1L.pdf | |
![]() | CAT16-152J4LF | RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 1206 | CAT16-152J4LF.pdf | |
![]() | 2SC4468/2SA1965 | 2SC4468/2SA1965 ORIGINAL TO-3P | 2SC4468/2SA1965.pdf | |
![]() | 302ML902 | 302ML902 TELEDYNE CDIP | 302ML902.pdf | |
![]() | 6833171 | 6833171 F CDIP | 6833171.pdf | |
![]() | WS1V106M05007PA280 | WS1V106M05007PA280 ORIGINAL SMD or Through Hole | WS1V106M05007PA280.pdf | |
![]() | isp2064VE-100TL44 | isp2064VE-100TL44 LATTICE QFP | isp2064VE-100TL44.pdf | |
![]() | XCF02SVO20C(TSTDTS) | XCF02SVO20C(TSTDTS) XILINX ORIGINAL | XCF02SVO20C(TSTDTS).pdf | |
![]() | RA3-100V102MK8 | RA3-100V102MK8 ELNA DIP-2 | RA3-100V102MK8.pdf | |
![]() | ICS8624BYILF | ICS8624BYILF ICS TQFP | ICS8624BYILF.pdf | |
![]() | ERF2AKR22P | ERF2AKR22P pan SMD or Through Hole | ERF2AKR22P.pdf |