창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTXV02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660JTXV02 | |
| 관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTXV02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 477TTA050M | 470µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 353 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 477TTA050M.pdf | |
![]() | RT0805WRE0766K5L | RES SMD 66.5KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0766K5L.pdf | |
![]() | CAT16-130J4LF | RES ARRAY 4 RES 13 OHM 1206 | CAT16-130J4LF.pdf | |
![]() | AC80566UE036DW SLB2M | AC80566UE036DW SLB2M INTEL BGA | AC80566UE036DW SLB2M.pdf | |
![]() | QDSM-599G | QDSM-599G Agilent SMD or Through Hole | QDSM-599G.pdf | |
![]() | 7MBR30U2A060 | 7MBR30U2A060 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR30U2A060.pdf | |
![]() | 2MB100N-120 | 2MB100N-120 FUJI SMD or Through Hole | 2MB100N-120.pdf | |
![]() | ESAC39 | ESAC39 ORIGINAL SMD or Through Hole | ESAC39.pdf | |
![]() | ROP1011214RJ | ROP1011214RJ ERICSSON SOP-44 | ROP1011214RJ.pdf | |
![]() | UPD9127G | UPD9127G NEC NULL | UPD9127G.pdf | |
![]() | 5962R3829435SXA | 5962R3829435SXA V CDIP-28 | 5962R3829435SXA.pdf | |
![]() | MQ159 | MQ159 HRS SMD or Through Hole | MQ159.pdf |