창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTXV02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6660JTXV02 | |
관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTXV02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ERZ-VF2M201 | VARISTOR 200V 600A 2SMD JLEAD | ERZ-VF2M201.pdf | |
![]() | 402F27122IKT | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27122IKT.pdf | |
![]() | MB8316200BP | MB8316200BP FUJI DIP42 | MB8316200BP.pdf | |
![]() | M62412P | M62412P MIT DIP16 | M62412P.pdf | |
![]() | ELXG100VSN393MA40S | ELXG100VSN393MA40S NIPPON SMD or Through Hole | ELXG100VSN393MA40S.pdf | |
![]() | C435 | C435 ORIGINAL SMD or Through Hole | C435.pdf | |
![]() | M50431-101SP #T | M50431-101SP #T MIT DIP-42P | M50431-101SP #T.pdf | |
![]() | EBD5105 | EBD5105 N/A QFN8 | EBD5105.pdf | |
![]() | AD50092 | AD50092 AD DIP | AD50092.pdf | |
![]() | HGC-20 | HGC-20 HONGO QFP60 | HGC-20.pdf | |
![]() | 74LCX139DT | 74LCX139DT ON TSSOP16 | 74LCX139DT.pdf | |
![]() | RK0G476M04007 | RK0G476M04007 samwha DIP-2 | RK0G476M04007.pdf |