창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTXL02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660JTXL02 | |
| 관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTXL02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| -3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1101CI2-164.0000T | 164MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101CI2-164.0000T.pdf | |
|  | UPD789102AMC-555-5A4-E1 | UPD789102AMC-555-5A4-E1 NEC SMD or Through Hole | UPD789102AMC-555-5A4-E1.pdf | |
|  | ADS1240E. | ADS1240E. TI/BB SSOP-24 | ADS1240E..pdf | |
|  | SC52H | SC52H ZOWIE DO-214AB(SMC) | SC52H.pdf | |
|  | TRK88999NLE | TRK88999NLE TRC DIP12 | TRK88999NLE.pdf | |
|  | MMCC1A01 | MMCC1A01 ALC QFP | MMCC1A01.pdf | |
|  | LF8287 | LF8287 ORIGINAL SMD16 | LF8287 .pdf | |
|  | CR6202B | CR6202B CR TO92 | CR6202B.pdf | |
|  | 48LC16M16A2-75IT | 48LC16M16A2-75IT MT SOP | 48LC16M16A2-75IT.pdf | |
|  | S3F80J9XZZ-SO99 | S3F80J9XZZ-SO99 SAMSUNG SOP32 | S3F80J9XZZ-SO99.pdf | |
|  | WL1A477M6L011PC380 | WL1A477M6L011PC380 SAMWHA SMD or Through Hole | WL1A477M6L011PC380.pdf |