창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTVP02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660JTVP02 | |
| 관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTVP02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| LGY1K562MELC40 | 5600µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | LGY1K562MELC40.pdf | ||
![]() | 3631B470LT | 47µH Shielded Inductor 1.6A 130 mOhm Max Nonstandard | 3631B470LT.pdf | |
![]() | S0603-3N3F1B | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-3N3F1B.pdf | |
![]() | F3SJ-A1565P20-TS | F3SJ-A1565P20-TS | F3SJ-A1565P20-TS.pdf | |
![]() | ADSS0014 | ADSS0014 MACOM SSOP | ADSS0014.pdf | |
![]() | M50800 | M50800 MIT DIP | M50800.pdf | |
![]() | 2N1439 | 2N1439 ST/MOTO CAN to-39 | 2N1439.pdf | |
![]() | HRS1KH-S-24V | HRS1KH-S-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | HRS1KH-S-24V.pdf | |
![]() | ML2011PBO-P10 | ML2011PBO-P10 MOBILINK SMD or Through Hole | ML2011PBO-P10.pdf | |
![]() | AN292NS | AN292NS PanasoniC SOP | AN292NS.pdf | |
![]() | HW105C-R | HW105C-R ASAHIKASEI SOP-4 | HW105C-R.pdf | |
![]() | LMK01000ISQE | LMK01000ISQE NS QFN48 | LMK01000ISQE.pdf |