창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTVP02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660JTVP02 | |
| 관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTVP02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
| UWT1C221MCL1GS | 220µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | UWT1C221MCL1GS.pdf | ||
![]() | SR1206JR-071R8L | RES SMD 1.8 OHM 5% 1/4W 1206 | SR1206JR-071R8L.pdf | |
![]() | MCR03EZPFX4122 | RES SMD 41.2K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX4122.pdf | |
![]() | TNPW201017K8BETF | RES SMD 17.8K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201017K8BETF.pdf | |
![]() | CRCW060375K0FKTB | RES SMD 75K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060375K0FKTB.pdf | |
![]() | FX3565CDW | FX3565CDW CML SMD or Through Hole | FX3565CDW.pdf | |
![]() | IKE6485-AO-QL-C | IKE6485-AO-QL-C ORIGINAL QFP | IKE6485-AO-QL-C.pdf | |
![]() | KY4558L | KY4558L ORIGINAL SMD or Through Hole | KY4558L.pdf | |
![]() | TXC-03361AIEQ | TXC-03361AIEQ TRANSWIT QFP | TXC-03361AIEQ.pdf | |
![]() | L77HDE15SD1CH4RC309 | L77HDE15SD1CH4RC309 AMPHENOL Call | L77HDE15SD1CH4RC309.pdf | |
![]() | FFAM25-1*1 | FFAM25-1*1 API SMD or Through Hole | FFAM25-1*1.pdf |