창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660-E3 | |
| 관련 링크 | 2N666, 2N6660-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | Y00072K47092B9L | RES 2.47092K OHM 0.6W 0.1% RAD | Y00072K47092B9L.pdf | |
![]() | 9435P | 9435P AC SOP8 | 9435P.pdf | |
![]() | 914CE31-9V | 914CE31-9V Honeywell SMD or Through Hole | 914CE31-9V.pdf | |
![]() | S915BY-470M | S915BY-470M TOKO SMD or Through Hole | S915BY-470M.pdf | |
![]() | LTC3901EFE | LTC3901EFE LINEAR TSSOP | LTC3901EFE.pdf | |
![]() | 1210-2.8K | 1210-2.8K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-2.8K.pdf | |
![]() | 6250AXXSZS-DC3 | 6250AXXSZS-DC3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6250AXXSZS-DC3.pdf | |
![]() | SB251M | SB251M TSC SMD or Through Hole | SB251M.pdf | |
![]() | MMU01020C105JB300 | MMU01020C105JB300 VISHAY SMD or Through Hole | MMU01020C105JB300.pdf |