창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N663A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2N663A | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2N663A | |
| 관련 링크 | 2N6, 2N663A 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| 4448R-30L | Unshielded 2 Coil Inductor Array 600µH Inductance - Connected in Series 150µH Inductance - Connected in Parallel 696 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 640mA Nonstandard | 4448R-30L.pdf | ||
![]() | L04022R7AHN | 2.7nH Unshielded Thin Film Inductor 250mA 250 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L04022R7AHN.pdf | |
![]() | 3094-474FS | 470µH Unshielded Inductor 37mA 35 Ohm Max 2-SMD | 3094-474FS.pdf | |
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![]() | S18CGF6B2 | S18CGF6B2 IR MODULE | S18CGF6B2.pdf | |
![]() | MT4VDDT1664HY-335F3 | MT4VDDT1664HY-335F3 MICRON SMD or Through Hole | MT4VDDT1664HY-335F3.pdf | |
![]() | TCSCE0G226MBAR | TCSCE0G226MBAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCE0G226MBAR.pdf | |
![]() | 4872002 | 4872002 SIERRA SMD or Through Hole | 4872002.pdf | |
![]() | MMK27.5106K250F18L4TRAY | MMK27.5106K250F18L4TRAY KEMET DIP | MMK27.5106K250F18L4TRAY.pdf | |
![]() | RD1H228M1635MBB | RD1H228M1635MBB SAMWHAELECTRIC SMD or Through Hole | RD1H228M1635MBB.pdf |