창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6491G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6487,88, 90,91 | |
PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 15A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1mA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 4V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
주파수 - 트랜지션 | 5MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 2N6491GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6491G | |
관련 링크 | 2N64, 2N6491G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
74408941089 | 8.9µH Shielded Wirewound Inductor 950mA 240 mOhm Max 1919 (4848 Metric) | 74408941089.pdf | ||
LTM8022EV#PBF/IV | LTM8022EV#PBF/IV LT LGA | LTM8022EV#PBF/IV.pdf | ||
SR73K2BTER82J | SR73K2BTER82J ORIGINAL SMD or Through Hole | SR73K2BTER82J.pdf | ||
35MV150WX | 35MV150WX SANYO DIP | 35MV150WX.pdf | ||
FLC-40/30-APE | FLC-40/30-APE AMPHENOLSPECTRA-S SMD or Through Hole | FLC-40/30-APE.pdf | ||
TGB2010-60-SM | TGB2010-60-SM TRIQUINT SMD or Through Hole | TGB2010-60-SM.pdf | ||
AM29F040B-12PI | AM29F040B-12PI AMD SMD or Through Hole | AM29F040B-12PI.pdf | ||
L3N4GD | L3N4GD AOPLED ROHS | L3N4GD.pdf | ||
F3NK100Z | F3NK100Z ST TO-220F | F3NK100Z.pdf | ||
MD27512-45/B | MD27512-45/B INTEL/REI DIP | MD27512-45/B.pdf | ||
LM8333GGR8 NOPB | LM8333GGR8 NOPB NSC SMD or Through Hole | LM8333GGR8 NOPB.pdf |