창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6491G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6487,88, 90,91 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 15A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1mA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 4V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 5MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 2N6491GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6491G | |
| 관련 링크 | 2N64, 2N6491G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0KLC300.X | FUSE CRTRDGE 300A 600VAC CYLINDR | 0KLC300.X.pdf | |
![]() | 416F37035CDR | 37MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37035CDR.pdf | |
![]() | CA0002910R0JE05 | RES 910 OHM 2W 5% AXIAL | CA0002910R0JE05.pdf | |
![]() | 10067972-050LF | 10067972-050LF FCI SMD or Through Hole | 10067972-050LF.pdf | |
![]() | SA56004DDP | SA56004DDP PHI SMD or Through Hole | SA56004DDP.pdf | |
![]() | K4M513233CDN75 | K4M513233CDN75 Samsung SMD or Through Hole | K4M513233CDN75.pdf | |
![]() | S1D17919T00600A | S1D17919T00600A EPSON SMD | S1D17919T00600A.pdf | |
![]() | 0402/F/153/Z/250/15NF/-20/+80%/Y5V/25V | 0402/F/153/Z/250/15NF/-20/+80%/Y5V/25V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402/F/153/Z/250/15NF/-20/+80%/Y5V/25V.pdf | |
![]() | PMC98132 | PMC98132 ORIGINAL SMD or Through Hole | PMC98132.pdf | |
![]() | 604-00031G | 604-00031G ORIGINAL 32-LQFP | 604-00031G.pdf | |
![]() | K6T0808CID-DL70 | K6T0808CID-DL70 SAMSUNG 28DIP | K6T0808CID-DL70.pdf |