홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2N6111G

ON Semiconductor 2N6111G

2N6111G
제조업체 부품 번호
2N6111G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 30V 7A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
2N6111G 가격 및 조달

가능 수량

9644 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 457.04400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2N6111G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2N6111G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2N6111G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2N6111G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2N6111G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2N6111G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N61xx, 2N62xx
PCN 설계/사양TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014
PCN 조립/원산지Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015
카탈로그 페이지 1556 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)7A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3.5V @ 3A, 7A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1mA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 3A, 4V
전력 - 최대40W
주파수 - 트랜지션10MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름2N6111GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N6111G
관련 링크2N61, 2N6111G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2N6111G 의 관련 제품
Reed Relay DPST (2 Form A) Through Hole 7302-12-1110.pdf
RES SMD 1.4 OHM 1% 1/8W 0805 RC0805FR-071R4L.pdf
JTXV4N47U MII SMD or Through Hole JTXV4N47U.pdf
ZT2083M ZILLTEK MSOP-10 ZT2083M.pdf
LDS84SM0-455 SCOTT SMD or Through Hole LDS84SM0-455.pdf
51740-10502405CC FRAMATOMECONNECTORS ORIGINAL 51740-10502405CC.pdf
SF-P151 SANYO SMD or Through Hole SF-P151.pdf
T2336 TOSHIBA ZIP9 T2336.pdf
MVXPRL-HNV38530 MRT QFP MVXPRL-HNV38530.pdf
2316R-10G NeltronIndustrial SMD or Through Hole 2316R-10G.pdf
MSM56V16160J OKI SMD or Through Hole MSM56V16160J.pdf