창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6036G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6034(35, 36, 38,39) | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 28/Jul/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 750 @ 2A, 3V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-225AA, TO-126-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-225AA | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 2N6036GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6036G | |
| 관련 링크 | 2N60, 2N6036G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SP2574NUTG | TVS DIODE 2.5VWM 12VC UDFN-10 | SP2574NUTG.pdf | |
![]() | Y1169500R000T9R | RES SMD 500OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y1169500R000T9R.pdf | |
![]() | LFEC6E-4FN256I | LFEC6E-4FN256I Lattice BGA256 | LFEC6E-4FN256I.pdf | |
![]() | PVG2A302A01R00(POZZAN-1-302-T00) | PVG2A302A01R00(POZZAN-1-302-T00) MURATA 2X2-3K | PVG2A302A01R00(POZZAN-1-302-T00).pdf | |
![]() | AD8900JDST | AD8900JDST AD SMD or Through Hole | AD8900JDST.pdf | |
![]() | MAX860ESAT | MAX860ESAT MAX SMD or Through Hole | MAX860ESAT.pdf | |
![]() | TLVH431CDBVT | TLVH431CDBVT TI SOT23-5 | TLVH431CDBVT.pdf | |
![]() | 593D336X0025D2W2Y400 | 593D336X0025D2W2Y400 VISHAY SMD or Through Hole | 593D336X0025D2W2Y400.pdf | |
![]() | ELXZ350ETC271MH20D | ELXZ350ETC271MH20D Chemi-con NA | ELXZ350ETC271MH20D.pdf | |
![]() | LTC1487CN8#TRPBF | LTC1487CN8#TRPBF LINEAR SMD or Through Hole | LTC1487CN8#TRPBF.pdf | |
![]() | S6B2086X01-Q0RJ | S6B2086X01-Q0RJ SAMSUNG SMD or Through Hole | S6B2086X01-Q0RJ.pdf |