창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-2N5875G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 2N5875G | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 2N5875G | |
관련 링크 | 2N58, 2N5875G 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
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![]() | LQH3NPN100MG0L | 10µH Shielded Wirewound Inductor 630mA 684 mOhm Max 1212 (3030 Metric) | LQH3NPN100MG0L.pdf | |
![]() | ISC1812ER3R3K | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 357mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ER3R3K.pdf | |
![]() | RMCF0805FT845R | RES SMD 845 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT845R.pdf | |
![]() | CV1C330MAEANG(16V/33UF/C) | CV1C330MAEANG(16V/33UF/C) SANYO C | CV1C330MAEANG(16V/33UF/C).pdf | |
![]() | SI5326AB-GM | SI5326AB-GM SILICON QFN36 | SI5326AB-GM.pdf | |
![]() | S80845CLY-B-G | S80845CLY-B-G SEIKO SMD or Through Hole | S80845CLY-B-G.pdf | |
![]() | C1Q1A125V | C1Q1A125V ORIGINAL PCS | C1Q1A125V.pdf | |
![]() | JC53R18 | JC53R18 JICHI SMD or Through Hole | JC53R18.pdf | |
![]() | IH0402C3D3R-00 | IH0402C3D3R-00 Steward SMD | IH0402C3D3R-00.pdf | |
![]() | H409 | H409 ORIGINAL QFN-24D | H409.pdf |