창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N5804 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2N5804 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2N5804 | |
| 관련 링크 | 2N5, 2N5804 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | UH10JT-E3/4W | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | UH10JT-E3/4W.pdf | |
![]() | SFR16S0009101JR500 | RES 9.1K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0009101JR500.pdf | |
![]() | SN74LS139ANS | SN74LS139ANS TI SOP5.2 | SN74LS139ANS.pdf | |
![]() | SG3843GASZ | SG3843GASZ SYSTEMGE SOP8 | SG3843GASZ.pdf | |
![]() | MGLS12864T20 | MGLS12864T20 batron SMD or Through Hole | MGLS12864T20.pdf | |
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![]() | K4T51163QE-ZPE6 | K4T51163QE-ZPE6 SAMSUNG BGA84 | K4T51163QE-ZPE6.pdf | |
![]() | 209DMQ150 | 209DMQ150 ORIGINAL IGBT | 209DMQ150.pdf | |
![]() | 1300 R28V | 1300 R28V ORIGINAL MSOP8 | 1300 R28V.pdf | |
![]() | E3SB12.0000F18G22F | E3SB12.0000F18G22F ORIGINAL SMD or Through Hole | E3SB12.0000F18G22F.pdf | |
![]() | LA4510--E-Z11 | LA4510--E-Z11 SANYO SMD or Through Hole | LA4510--E-Z11.pdf | |
![]() | PEB2131HV1.4 | PEB2131HV1.4 SIEMENS SMD or Through Hole | PEB2131HV1.4.pdf |