창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N5115JTXV02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | - | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 저항 - RDS(On) | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N5115JTXV02 | |
| 관련 링크 | 2N5115J, 2N5115JTXV02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | ESMG630ELL332MP40S | 3300µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ESMG630ELL332MP40S.pdf | |
|  | VJ1206A680KBLAT4X | 68pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A680KBLAT4X.pdf | |
|  | RG3216N-1303-W-T1 | RES SMD 130K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-1303-W-T1.pdf | |
|  | HM628128LP-12 | HM628128LP-12 HITACHI DIP-32 | HM628128LP-12.pdf | |
|  | M65013L(A)-E315 | M65013L(A)-E315 MITSBISH PLCC68 | M65013L(A)-E315.pdf | |
|  | 2SK3934(Q | 2SK3934(Q TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK3934(Q.pdf | |
|  | HC7-4R7 | HC7-4R7 BUS SMD or Through Hole | HC7-4R7.pdf | |
|  | 1255I | 1255I LINEAR SMD or Through Hole | 1255I.pdf | |
|  | LVA522A2 | LVA522A2 MIT SIP | LVA522A2.pdf | |
|  | AQC203 | AQC203 ORIGINAL DIP-6 | AQC203.pdf | |
|  | 1N3877 | 1N3877 IR/MOT DO-4 | 1N3877.pdf | |
|  | 251S41W224KV4E | 251S41W224KV4E ORIGINAL SMD or Through Hole | 251S41W224KV4E.pdf |