창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N5115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N5115 | |
관련 링크 | 2N5, 2N5115 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C2012C0G1H100D | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G1H100D.pdf | ||
MB86932-40ZF-G-BND-FIN | MB86932-40ZF-G-BND-FIN FUJITSU SMD or Through Hole | MB86932-40ZF-G-BND-FIN.pdf | ||
GAL18V10B-10LP | GAL18V10B-10LP NA/ DIP | GAL18V10B-10LP.pdf | ||
LUWCP7P-LP-6E-4-R18 | LUWCP7P-LP-6E-4-R18 OSRAMOPTO ORIGINAL | LUWCP7P-LP-6E-4-R18.pdf | ||
TL780-05CKTER | TL780-05CKTER TI TO220-3 | TL780-05CKTER.pdf | ||
5110052AC1 | 5110052AC1 NEC DIP | 5110052AC1.pdf | ||
TA-010TCMS4R7K-ARLC | TA-010TCMS4R7K-ARLC FUJI SMD or Through Hole | TA-010TCMS4R7K-ARLC.pdf | ||
HA1-2539-9 | HA1-2539-9 HARRIS CDIP | HA1-2539-9.pdf | ||
PNX8009DHHN/C00/2 | PNX8009DHHN/C00/2 NXP QFN88 | PNX8009DHHN/C00/2.pdf | ||
3721000 | 3721000 EPCOS SMD or Through Hole | 3721000.pdf | ||
RA-H261TD-1190 | RA-H261TD-1190 JST N A | RA-H261TD-1190.pdf | ||
HC2D157M22020HA180 | HC2D157M22020HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HC2D157M22020HA180.pdf |