창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N5114-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N5114-E3 | |
관련 링크 | 2N511, 2N5114-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 593D686X0020E2TE3 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 150 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 593D686X0020E2TE3.pdf | |
![]() | 445A32D14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32D14M31818.pdf | |
![]() | 402F271XXCAT | 27.12MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F271XXCAT.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F69R8V | RES SMD 69.8 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F69R8V.pdf | |
![]() | 45J82RE | RES 82 OHM 5W 5% AXIAL | 45J82RE.pdf | |
![]() | TC7S57FULF | TC7S57FULF TOSHIBA NA | TC7S57FULF.pdf | |
![]() | REF3133AIDB | REF3133AIDB TI SOT23 | REF3133AIDB.pdf | |
![]() | ST2001FI | ST2001FI ORIGINAL SMD or Through Hole | ST2001FI.pdf | |
![]() | SA51A-E3 | SA51A-E3 VISHAY DO-15 | SA51A-E3.pdf | |
![]() | HYB187512169BF 32X1 | HYB187512169BF 32X1 ORIGINAL BGA | HYB187512169BF 32X1.pdf |