창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N4858JTXL02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 40 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N4858JTXL02 | |
관련 링크 | 2N4858J, 2N4858JTXL02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
201S42E561JV4E | 560pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 201S42E561JV4E.pdf | ||
TE200B150RJ | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 200W | TE200B150RJ.pdf | ||
RT1206FRD0724K3L | RES SMD 24.3K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0724K3L.pdf | ||
ERG-3SJ330 | RES 33 OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ330.pdf | ||
SPR-54MVWFN | SPR-54MVWFN ROHM ORG | SPR-54MVWFN.pdf | ||
BAV21W-V-G-08 | BAV21W-V-G-08 VISHAY SOD-123 | BAV21W-V-G-08.pdf | ||
FPV321611G330PKT | FPV321611G330PKT FH SMD | FPV321611G330PKT.pdf | ||
LFTC-5400+ | LFTC-5400+ MINI SMD or Through Hole | LFTC-5400+.pdf | ||
ERJ3EKF3921V | ERJ3EKF3921V ORIGINAL SMD or Through Hole | ERJ3EKF3921V.pdf | ||
2SJ377(TE16R1,NQ) | 2SJ377(TE16R1,NQ) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SJ377(TE16R1,NQ).pdf |