창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N3019 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N3019 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 2N3019MS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N3019 | |
| 관련 링크 | 2N3, 2N3019 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 500R07S1R1BV4T | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 500R07S1R1BV4T.pdf | |
![]() | AUIRF7416QTR | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC | AUIRF7416QTR.pdf | |
![]() | MLX92221LUA-AAA-004-SP | IC HALL EFFECT SWITCH TO92-3L | MLX92221LUA-AAA-004-SP.pdf | |
![]() | 400V/560UF | 400V/560UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V/560UF.pdf | |
![]() | SSCSWTS902-UE | SSCSWTS902-UE SEOUL SMD or Through Hole | SSCSWTS902-UE.pdf | |
![]() | 172074-1 | 172074-1 AMP SMD or Through Hole | 172074-1.pdf | |
![]() | JC2AF-B-DC24V | JC2AF-B-DC24V MATSUSHITA SMD or Through Hole | JC2AF-B-DC24V.pdf | |
![]() | B-6367A | B-6367A NAKAMICHI DIP42 | B-6367A.pdf | |
![]() | B84312C0020H03 | B84312C0020H03 epcos SMD or Through Hole | B84312C0020H03.pdf | |
![]() | TD8259/B | TD8259/B INTEL DIP | TD8259/B.pdf | |
![]() | DR-WLS1273L-EV | DR-WLS1273L-EV RFM SMD or Through Hole | DR-WLS1273L-EV.pdf |