창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ68D5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 51.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 2EZ68D5DO41 2EZ68D5DO41MSTR 2EZ68D5DO41MSTR-ND 2EZ68D5MSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ68D5 | |
관련 링크 | 2EZ6, 2EZ68D5 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VB20120C-E3/4W | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 | VB20120C-E3/4W.pdf | |
![]() | THS25330RJ | RES CHAS MNT 330 OHM 5% 25W | THS25330RJ.pdf | |
![]() | PAT0805E5492BST1 | RES SMD 54.9K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E5492BST1.pdf | |
![]() | TNPW251248R7BEEY | RES SMD 48.7 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251248R7BEEY.pdf | |
![]() | T495X686M025ASE200 | T495X686M025ASE200 KEMET NA | T495X686M025ASE200.pdf | |
![]() | SCC2681ACIN | SCC2681ACIN PHILIPS SMD or Through Hole | SCC2681ACIN.pdf | |
![]() | D2936 | D2936 ORIGINAL SMD or Through Hole | D2936.pdf | |
![]() | T1050S1000 | T1050S1000 AEG SMD or Through Hole | T1050S1000.pdf | |
![]() | UPA2210 | UPA2210 NEC 8P-VSOF | UPA2210.pdf | |
![]() | B0303SE-1W | B0303SE-1W ORIGINAL SMD or Through Hole | B0303SE-1W.pdf | |
![]() | ADS537SD | ADS537SD AD SMD or Through Hole | ADS537SD.pdf |