창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.8D5DO41E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 2EZ6.8D5DO41E3MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ6.8D5DO41E3 | |
| 관련 링크 | 2EZ6.8D5, 2EZ6.8D5DO41E3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 7M-12.000MBBK-T | 12MHz ±50ppm 수정 20pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-12.000MBBK-T.pdf | |
![]() | MMSTA14T146 | TRANS NPN 30V 0.5A | MMSTA14T146.pdf | |
![]() | SQBW40220RJFASTON | RES CHAS MNT 220 OHM 5% 40W | SQBW40220RJFASTON.pdf | |
![]() | EX036A-18.432M | EX036A-18.432M KSS DIP8 | EX036A-18.432M.pdf | |
![]() | 50601 | 50601 N/A SMD-5 | 50601.pdf | |
![]() | TLP228-1 | TLP228-1 TOSHIBA DIP-4 | TLP228-1.pdf | |
![]() | LH117Q01-A1 | LH117Q01-A1 Murata NULL | LH117Q01-A1.pdf | |
![]() | RN5VL34AA-TR SOT153-C4DE | RN5VL34AA-TR SOT153-C4DE RICOH SMD or Through Hole | RN5VL34AA-TR SOT153-C4DE.pdf | |
![]() | SP100A1123XBT GN | SP100A1123XBT GN SUNON SMD or Through Hole | SP100A1123XBT GN.pdf | |
![]() | PCI646V2 | PCI646V2 ORIGINAL QFP | PCI646V2.pdf | |
![]() | Z641I116D | Z641I116D INTEL BGA | Z641I116D.pdf | |
![]() | MHE-134 | MHE-134 NXP DIP | MHE-134.pdf |