창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.8D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ6.8D10/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ6.8D, 2EZ6.8D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
F920G226MPA | 22µF Molded Tantalum Capacitors 4V 0805 (2012 Metric) 5 Ohm 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | F920G226MPA.pdf | ||
VS-88HFR120 | DIODE GENERAL PURPOSE 85A DO-5 | VS-88HFR120.pdf | ||
TYS60206R8N-10 | 6.8µH Shielded Inductor 1.8A 79 mOhm Max Nonstandard | TYS60206R8N-10.pdf | ||
5022-181F | 180nH Unshielded Inductor 2.915A 43 mOhm Max 2-SMD | 5022-181F.pdf | ||
KAI-11002-FBA-CD-B1 | CCD Image Sensor 4008H x 2672V 9µm x 9µm 40-Cerdip | KAI-11002-FBA-CD-B1.pdf | ||
LA2902 | LA2902 ORIGINAL SOP | LA2902.pdf | ||
2SC307-Y | 2SC307-Y TOSHIBA TO-126 | 2SC307-Y.pdf | ||
IPP055N03L G | IPP055N03L G I TO-220AB | IPP055N03L G.pdf | ||
LTC1334CNW#PBF | LTC1334CNW#PBF LT SMD or Through Hole | LTC1334CNW#PBF.pdf | ||
EL817 B | EL817 B ORIGINAL SMD or Through Hole | EL817 B.pdf | ||
BCW94K | BCW94K ORIGINAL to-92 | BCW94K.pdf | ||
MMBZ5232BLT | MMBZ5232BLT ON A | MMBZ5232BLT.pdf |