창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.2D5/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ6.2D5/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ6.2D, 2EZ6.2D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D330MXAAJ | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D330MXAAJ.pdf | |
![]() | 416F25025CLR | 25MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025CLR.pdf | |
![]() | MBB02070C1652FCT00 | RES 16.5K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1652FCT00.pdf | |
![]() | 220K-0608 | 220K-0608 LY DIP | 220K-0608.pdf | |
![]() | NACEW102M25V12.5X14TR13F | NACEW102M25V12.5X14TR13F NIC SMD | NACEW102M25V12.5X14TR13F.pdf | |
![]() | 1N2496 | 1N2496 microsemi SMD or Through Hole | 1N2496.pdf | |
![]() | 179-180 | 179-180 ORIGINAL SMD or Through Hole | 179-180.pdf | |
![]() | FSM327 | FSM327 ORIGINAL SMD or Through Hole | FSM327.pdf | |
![]() | 373017000000000 | 373017000000000 APUS SMD | 373017000000000.pdf | |
![]() | ECES1CG472E | ECES1CG472E PANASONIC DIP | ECES1CG472E.pdf | |
![]() | H11AV1AS-M | H11AV1AS-M QTOPTOELECTRONICS ORIGINAL | H11AV1AS-M.pdf | |
![]() | SN54LS765J | SN54LS765J MOT DIP | SN54LS765J.pdf |