창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.2D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ6.2D/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ6.2D, 2EZ6.2D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | STD5NK60ZT4 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | STD5NK60ZT4.pdf | |
![]() | RT1210FRD0712K7L | RES SMD 12.7K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0712K7L.pdf | |
![]() | SDM862JG | SDM862JG BB BGA | SDM862JG.pdf | |
![]() | M51838FP | M51838FP MIT N A | M51838FP.pdf | |
![]() | K3B2 | K3B2 ST DIP | K3B2.pdf | |
![]() | D4F60-5063 | D4F60-5063 ORIGINAL N A | D4F60-5063.pdf | |
![]() | LTC1597-IBCG | LTC1597-IBCG LT SOP | LTC1597-IBCG.pdf | |
![]() | PVA10AH1(H2-H5) | PVA10AH1(H2-H5) itt SMD or Through Hole | PVA10AH1(H2-H5).pdf | |
![]() | MN8232F | MN8232F PANASANI DIP | MN8232F.pdf | |
![]() | XC9235C10CER | XC9235C10CER TOREX SMD or Through Hole | XC9235C10CER.pdf | |
![]() | CXM3504 | CXM3504 SONY BGA | CXM3504.pdf | |
![]() | VSC8488XJU | VSC8488XJU VITESSE BGA | VSC8488XJU.pdf |