창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ51D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 2EZ51D5 2EZ51D5/TR8TR 2EZ51D5DO41 2EZ51D5DO41MSTR 2EZ51D5DO41MSTR-ND 2EZ51D5MSTR 2EZ51D5MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ51D5/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ51D, 2EZ51D5/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ES2D/1 | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | ES2D/1.pdf | |
![]() | CRS0805-JX-100ELF | RES SMD 10 OHM 5% 1/4W 0805 | CRS0805-JX-100ELF.pdf | |
![]() | RMCP2010FT3M90 | RES SMD 3.9M OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT3M90.pdf | |
![]() | CM43X7R684K100AT | CM43X7R684K100AT KYOCERA SMD or Through Hole | CM43X7R684K100AT.pdf | |
![]() | TSS-5032B-2/39.236875MHZ | TSS-5032B-2/39.236875MHZ TEW SMD or Through Hole | TSS-5032B-2/39.236875MHZ.pdf | |
![]() | FEP30BJD | FEP30BJD LT SC70-6 | FEP30BJD.pdf | |
![]() | HKQ06031N5J-T | HKQ06031N5J-T TAIYOYUDEN SMD | HKQ06031N5J-T.pdf | |
![]() | WSL-2010-180R0151%R86 | WSL-2010-180R0151%R86 NA SMD | WSL-2010-180R0151%R86.pdf | |
![]() | HP243ET | HP243ET ORIGINAL SMD or Through Hole | HP243ET.pdf | |
![]() | MD80C187-12/BC | MD80C187-12/BC INTEL DIP40 | MD80C187-12/BC.pdf | |
![]() | RK73B1JLTDD200J | RK73B1JLTDD200J KOA SMD or Through Hole | RK73B1JLTDD200J.pdf | |
![]() | 7999-88041-2330300 | 7999-88041-2330300 MURR SMD or Through Hole | 7999-88041-2330300.pdf |