창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ51D2E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ51D2E3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ51D2, 2EZ51D2E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EEU-FC0J102B | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | EEU-FC0J102B.pdf | |
![]() | SIT1602AI-12-33E-4.096000E | OSC XO 3.3V 4.096MHZ | SIT1602AI-12-33E-4.096000E.pdf | |
![]() | SIT1602BI-12-18E-60.00000E | OSC XO 1.8V 60MHZ OE | SIT1602BI-12-18E-60.00000E.pdf | |
CZB06S04080050HRT | RF Attenuator 8dB ±0.5dB 0Hz ~ 3GHz 50 Ohm 0.075W 4-SMD, No Lead | CZB06S04080050HRT.pdf | ||
![]() | HMC842LC4BTR-R5 | RF IC 24-SMT (4x4) | HMC842LC4BTR-R5.pdf | |
![]() | K6R4004C1D-UC10 | K6R4004C1D-UC10 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R4004C1D-UC10.pdf | |
![]() | APL1087-33DC | APL1087-33DC ORIGINAL SOT89 | APL1087-33DC.pdf | |
![]() | AL-363XXXX | AL-363XXXX ALLBRIGHT SMD or Through Hole | AL-363XXXX.pdf | |
![]() | PST3328 | PST3328 MITSUMI SC-82 | PST3328.pdf | |
![]() | K4E151612DTC50TOO | K4E151612DTC50TOO SAMSUNG N.A | K4E151612DTC50TOO.pdf |