창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ47D5E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 35.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ47D5E3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ47D5, 2EZ47D5E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 4P036F35CET | 3.579545MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P036F35CET.pdf | |
![]() | 744834433 | 3.3mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 5A DCR 37 mOhm | 744834433.pdf | |
![]() | 4816P-2-334LF | RES ARRAY 15 RES 330K OHM 16SOIC | 4816P-2-334LF.pdf | |
![]() | LX803MT | LX803MT ORIGINAL SOT-223 | LX803MT .pdf | |
![]() | 142331-0001 | 142331-0001 USA SMD or Through Hole | 142331-0001.pdf | |
![]() | Si4122-GM | Si4122-GM ORIGINAL QFN | Si4122-GM.pdf | |
![]() | ESAD31-02C | ESAD31-02C ORIGINAL TO-3P | ESAD31-02C.pdf | |
![]() | FHZ02W3.0V | FHZ02W3.0V FH SMD or Through Hole | FHZ02W3.0V.pdf | |
![]() | TC1262-3.0VEBTR | TC1262-3.0VEBTR MICROCHIP SMD or Through Hole | TC1262-3.0VEBTR.pdf | |
![]() | TCD1708DG | TCD1708DG TOSHIBA CDIP-22 | TCD1708DG.pdf | |
![]() | LTC1346ACGN | LTC1346ACGN LT SSOP-24 | LTC1346ACGN.pdf |