창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ43D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ43D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ43D10E, 2EZ43D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LP037F23IET | 3.6864MHz ±20ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP037F23IET.pdf | |
![]() | MURTA20060 | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | MURTA20060.pdf | |
![]() | ERA-8ARW5362V | RES SMD 53.6KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW5362V.pdf | |
![]() | MK23R7FE-R52 | RES 23.7 OHM 1/4W 1% AXIAL | MK23R7FE-R52.pdf | |
![]() | 223K 50V X7R 0603 060335C223KAT2A | 223K 50V X7R 0603 060335C223KAT2A AVX SMD or Through Hole | 223K 50V X7R 0603 060335C223KAT2A.pdf | |
![]() | 24-5605-034-000-829+ | 24-5605-034-000-829+ KYOCERA SMD or Through Hole | 24-5605-034-000-829+.pdf | |
![]() | AD7552 | AD7552 AD DIP | AD7552.pdf | |
![]() | MCP1650-E/MS | MCP1650-E/MS Microchip MSOP-8 | MCP1650-E/MS.pdf | |
![]() | LC4064SZ-5-75I | LC4064SZ-5-75I Lattice BGA | LC4064SZ-5-75I.pdf | |
![]() | SU15-05S05-C | SU15-05S05-C SUCCEED DIP | SU15-05S05-C.pdf | |
![]() | VI-25Z-MU | VI-25Z-MU VICOR DC-DC | VI-25Z-MU.pdf |