창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ4.3D/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ4.3D/TR8 | |
| 관련 링크 | 2EZ4.3, 2EZ4.3D/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BCR108E6433HTMA1 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | BCR108E6433HTMA1.pdf | |
![]() | 55909-1074 | 55909-1074 molex Connection | 55909-1074.pdf | |
![]() | KT10N | KT10N ORIGINAL TO-126 | KT10N.pdf | |
![]() | DM54LS160J | DM54LS160J NSC DIP | DM54LS160J.pdf | |
![]() | SG3524DR* | SG3524DR* TI SOIC16 | SG3524DR*.pdf | |
![]() | AAT3510IGV-4.38-A-C-T1 | AAT3510IGV-4.38-A-C-T1 ANALOGIC SMD or Through Hole | AAT3510IGV-4.38-A-C-T1.pdf | |
![]() | GA382AFE | GA382AFE CONEXANT SMD or Through Hole | GA382AFE.pdf | |
![]() | NACEN220M10V6.3X5.5TR13F | NACEN220M10V6.3X5.5TR13F NIC SMD | NACEN220M10V6.3X5.5TR13F.pdf | |
![]() | R87C3245 | R87C3245 rockw SMD or Through Hole | R87C3245.pdf | |
![]() | GBU9J | GBU9J ORIGINAL GBU-6 | GBU9J.pdf | |
![]() | 20w-3 | 20w-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20w-3.pdf | |
![]() | 10MV5600WX | 10MV5600WX SANYO DIP | 10MV5600WX.pdf |