창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ36D5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 27.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 2EZ36D5DO41 2EZ36D5DO41MSTR 2EZ36D5DO41MSTR-ND 2EZ36D5MSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ36D5 | |
관련 링크 | 2EZ3, 2EZ36D5 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F30012CDT | 30MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30012CDT.pdf | |
![]() | 825FR70 | RES CHAS MNT 0.7 OHM 1% 25W | 825FR70.pdf | |
![]() | NB20J00472KBA | NTC Thermistor 4.7k 1206 (3216 Metric) | NB20J00472KBA.pdf | |
![]() | 5462-0309-0050923 | 5462-0309-0050923 HARRIS SOP28 | 5462-0309-0050923.pdf | |
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![]() | AT25080N10SI27A | AT25080N10SI27A atmel SMD or Through Hole | AT25080N10SI27A.pdf | |
![]() | CSTCR6M55G15B01-R0 | CSTCR6M55G15B01-R0 NA SMD | CSTCR6M55G15B01-R0.pdf | |
![]() | ADM232AAARN | ADM232AAARN AD SOP-16 | ADM232AAARN.pdf | |
![]() | U65-E04-4260T | U65-E04-4260T AMPHEN SMD or Through Hole | U65-E04-4260T.pdf | |
![]() | dsPIC33FJ12GP201 | dsPIC33FJ12GP201 MICROCHIP 18PDIP18SOIC300m | dsPIC33FJ12GP201.pdf | |
![]() | 225J 100VDC | 225J 100VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 225J 100VDC.pdf | |
![]() | K4S641632C-TC80T0 | K4S641632C-TC80T0 SAMSUNG TSOP54 | K4S641632C-TC80T0.pdf |