창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ33D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ33D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ33D2E, 2EZ33D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TD-8.000MDE-T | 8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TD-8.000MDE-T.pdf | |
![]() | BTA2008-600E,412 | TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 | BTA2008-600E,412.pdf | |
![]() | AA0402FR-071M69L | RES SMD 1.69M OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-071M69L.pdf | |
![]() | B39202-B9506-L310 | B39202-B9506-L310 EPCOS QFN | B39202-B9506-L310.pdf | |
![]() | HFE10-1/12-HST-L1 | HFE10-1/12-HST-L1 HGF SMD or Through Hole | HFE10-1/12-HST-L1.pdf | |
![]() | T7513B-3PE | T7513B-3PE AGERE SMD or Through Hole | T7513B-3PE.pdf | |
![]() | MIG75J10H | MIG75J10H TOSHIBA SMD or Through Hole | MIG75J10H.pdf | |
![]() | XCS30XLTQ144-5C | XCS30XLTQ144-5C XILINX SMD or Through Hole | XCS30XLTQ144-5C.pdf | |
![]() | 0805F153Z500NT | 0805F153Z500NT FENGHUA SMD or Through Hole | 0805F153Z500NT.pdf | |
![]() | ICS9248BF-179 | ICS9248BF-179 ICS SSOP-48 | ICS9248BF-179.pdf | |
![]() | CGA4J2C0G1H682JT0Y0N | CGA4J2C0G1H682JT0Y0N TDK SMD or Through Hole | CGA4J2C0G1H682JT0Y0N.pdf | |
![]() | K7M161825-QC75 | K7M161825-QC75 SAMSUNG TQFP-100 | K7M161825-QC75.pdf |