창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ3.9D10/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ3.9D10/TR8 | |
| 관련 링크 | 2EZ3.9D, 2EZ3.9D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | AISC-1812H-330K-T | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 310mA 860 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | AISC-1812H-330K-T.pdf | |
![]() | ERJ-8BQJR39V | RES SMD 0.39 OHM 5% 1/2W 1206 | ERJ-8BQJR39V.pdf | |
![]() | P51-3000-S-J-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-J-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | RF73B2A0R5JD | RF73B2A0R5JD KOA SMD or Through Hole | RF73B2A0R5JD.pdf | |
![]() | MSM51185160D-60J | MSM51185160D-60J OKI SOJ | MSM51185160D-60J.pdf | |
![]() | 55004IBZ | 55004IBZ INTERSIL SOP | 55004IBZ.pdf | |
![]() | ADUM1410A | ADUM1410A AD SOP16 | ADUM1410A.pdf | |
![]() | 22AF | 22AF ORIGINAL TSSOP | 22AF.pdf | |
![]() | CRCW1206510K0W251%100PPM | CRCW1206510K0W251%100PPM BCC SMD or Through Hole | CRCW1206510K0W251%100PPM.pdf | |
![]() | 7256-LF | 7256-LF SAMSUNG QFP | 7256-LF.pdf | |
![]() | KME100VB101M12X20LL | KME100VB101M12X20LL UNITED DIP | KME100VB101M12X20LL.pdf | |
![]() | RCTTE0RJ | RCTTE0RJ ORIGINAL 2000 | RCTTE0RJ.pdf |