창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ3.6DE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 80µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ3.6DE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ3.6DE, 2EZ3.6DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F384XXCST | 38.4MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384XXCST.pdf | |
![]() | E3S-CT66 | THRU-BEAM HORZ 30M CONN | E3S-CT66.pdf | |
![]() | AMS500-5.0 | AMS500-5.0 AMS SOT-223 | AMS500-5.0.pdf | |
![]() | TND14V-471KB00AAA0-T | TND14V-471KB00AAA0-T NipponChemi-ConVARIS maocccompdfchemi | TND14V-471KB00AAA0-T.pdf | |
![]() | NJM2872BF26-TE1 | NJM2872BF26-TE1 JRC SOT23-5 | NJM2872BF26-TE1.pdf | |
![]() | FMG9A T148 | FMG9A T148 ROHM SOT23-5 | FMG9A T148.pdf | |
![]() | NJM2582V | NJM2582V JRC SSOP32 | NJM2582V.pdf | |
![]() | 23Z356SMT | 23Z356SMT PULSE SMD or Through Hole | 23Z356SMT.pdf | |
![]() | TS-TG-30W-002 | TS-TG-30W-002 TRYSUN SMD or Through Hole | TS-TG-30W-002.pdf | |
![]() | HA7-5142/883B | HA7-5142/883B HARRIS CDIP8 | HA7-5142/883B.pdf | |
![]() | E3F2-DS30B4 | E3F2-DS30B4 OmronElectronicsInc-IADiv SMD or Through Hole | E3F2-DS30B4.pdf |