창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ200D10/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ200D10/TR8 | |
| 관련 링크 | 2EZ200D, 2EZ200D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R4DLPAJ | 1.4pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R4DLPAJ.pdf | |
![]() | DCA010-TB-E | DIODE ARRAY GP 80V 150MA 3CP | DCA010-TB-E.pdf | |
![]() | CRCW20101K20JNEF | RES SMD 1.2K OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20101K20JNEF.pdf | |
![]() | WNBR25FE | RES 0.25 OHM 1W 1% AXIAL | WNBR25FE.pdf | |
![]() | P51-200-G-M-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - M10 x 1.0 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-M-MD-20MA-000-000.pdf | |
![]() | ICP-1.2-TN | ICP-1.2-TN ROHM SMD or Through Hole | ICP-1.2-TN.pdf | |
![]() | ELXH401VSN101MP35M | ELXH401VSN101MP35M NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | ELXH401VSN101MP35M.pdf | |
![]() | PSB6970(V1.3) | PSB6970(V1.3) Lantiq LQFP | PSB6970(V1.3).pdf | |
![]() | NNT04AJ102H2800TRF | NNT04AJ102H2800TRF NICC SMD or Through Hole | NNT04AJ102H2800TRF.pdf | |
![]() | SF10BGB | SF10BGB ORIGINAL SMD or Through Hole | SF10BGB.pdf | |
![]() | TSWC02622 | TSWC02622 AGERE SMD or Through Hole | TSWC02622.pdf | |
![]() | HCNW2611#500E | HCNW2611#500E AGILENT SMD or Through Hole | HCNW2611#500E.pdf |