창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ190D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 825옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 144.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ190D/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ190D, 2EZ190D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | S6GR | DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 | S6GR.pdf | |
![]() | MLG1608B2N2STD25 | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLG1608B2N2STD25.pdf | |
![]() | 403R3C | 3.3µH Unshielded Toroidal Inductor 5.2A 17 mOhm Max Nonstandard | 403R3C.pdf | |
![]() | RCWE061215L0JMEA | RES SMD 0.015 OHM 5% 1W 0612 | RCWE061215L0JMEA.pdf | |
![]() | LM4871M-- 9 | LM4871M-- 9 CSMSC SOP-8 | LM4871M-- 9.pdf | |
![]() | TLV2762IDGKG4(AJP) | TLV2762IDGKG4(AJP) TI/BB MOSP | TLV2762IDGKG4(AJP).pdf | |
![]() | MC68SE000CFU20. | MC68SE000CFU20. MOT QFP | MC68SE000CFU20..pdf | |
![]() | SB254(W/M) | SB254(W/M) TSC SMD or Through Hole | SB254(W/M).pdf | |
![]() | ASMT-MYH2-NDF00 | ASMT-MYH2-NDF00 AVAGO SMD or Through Hole | ASMT-MYH2-NDF00.pdf | |
![]() | E4C3 | E4C3 EDAL SMD or Through Hole | E4C3.pdf | |
![]() | IPP126N10N3 | IPP126N10N3 INFINEON TO-220 | IPP126N10N3.pdf |