창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ180DE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 725옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 136.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ180DE3/TR12 | |
관련 링크 | 2EZ180DE, 2EZ180DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | APTDC40H1201G | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | APTDC40H1201G.pdf | |
![]() | AOTF8N80 | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220F | AOTF8N80.pdf | |
![]() | HRG3216P-2212-D-T1 | RES SMD 22.1K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2212-D-T1.pdf | |
![]() | BGA 735N16 E6327 | RF Amplifier IC UMTS 800MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz TSNP-16-1 | BGA 735N16 E6327.pdf | |
![]() | IDT74FCT161S0 | IDT74FCT161S0 IDT SOP16 | IDT74FCT161S0.pdf | |
![]() | M35047-069FP | M35047-069FP MIT SSOP | M35047-069FP.pdf | |
![]() | 4880BGM | 4880BGM APEC SOP-8 | 4880BGM.pdf | |
![]() | EECSE0H473 | EECSE0H473 PANASONIC DIP | EECSE0H473.pdf | |
![]() | TTC--103 | TTC--103 ORIGINAL DIP | TTC--103.pdf | |
![]() | P-1328-CEA(59) | P-1328-CEA(59) HRS SMD or Through Hole | P-1328-CEA(59).pdf |