창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ16D5E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 12.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ16D5E3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ16D5, 2EZ16D5E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CS85-B2GA331KYGS | 330pF 250VAC 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | CS85-B2GA331KYGS.pdf | |
![]() | ZMM5258B-7 | DIODE ZENER 36V 500MW MINIMELF | ZMM5258B-7.pdf | |
![]() | DC630R-474K | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 1.58A 377 mOhm Max Radial | DC630R-474K.pdf | |
![]() | K9PFG08U5M-LCB0TP0 | K9PFG08U5M-LCB0TP0 Samsung SMD or Through Hole | K9PFG08U5M-LCB0TP0.pdf | |
![]() | Si9405DYNR-T1-E3 | Si9405DYNR-T1-E3 VISHAY SMD or Through Hole | Si9405DYNR-T1-E3.pdf | |
![]() | LTL-307CB-002A | LTL-307CB-002A LITEON 2010 | LTL-307CB-002A.pdf | |
![]() | ATT6563011J-M68-TR | ATT6563011J-M68-TR LUCENT SMD or Through Hole | ATT6563011J-M68-TR.pdf | |
![]() | RS3AHE3/9AT | RS3AHE3/9AT VISHAY SMD or Through Hole | RS3AHE3/9AT.pdf | |
![]() | CS4239B-JQ | CS4239B-JQ ORIGINAL SMD or Through Hole | CS4239B-JQ.pdf | |
![]() | ISPLSI2192VE-100LB144 | ISPLSI2192VE-100LB144 Lattice BGA | ISPLSI2192VE-100LB144.pdf | |
![]() | A608-E | A608-E QG SMD or Through Hole | A608-E.pdf | |
![]() | G466-B108-101 | G466-B108-101 SPEED SMD or Through Hole | G466-B108-101.pdf |