창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ160D5E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 650옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 121.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ160D5E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ160D5E, 2EZ160D5E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | 416F30035ATR | 30MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30035ATR.pdf | |
![]() | AIAP-02-122K | 1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 2.65 Ohm Max Axial | AIAP-02-122K.pdf | |
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![]() | EM8561S | EM8561S ORIGINAL BGA | EM8561S.pdf | |
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![]() | SI7326DP-T1-E3 | SI7326DP-T1-E3 VISHAY QFN | SI7326DP-T1-E3.pdf | |
![]() | CY28370OCT (SS0P48) | CY28370OCT (SS0P48) CYPRESS SMD or Through Hole | CY28370OCT (SS0P48).pdf | |
![]() | LM4888SQ+ | LM4888SQ+ NSC SMD or Through Hole | LM4888SQ+.pdf | |
![]() | 2SC5658T2L R/Q | 2SC5658T2L R/Q ROHM SMD or Through Hole | 2SC5658T2L R/Q.pdf | |
![]() | TB31256FLEB | TB31256FLEB TOSHIBA QFN | TB31256FLEB.pdf | |
![]() | NHDS-08 | NHDS-08 DIPTRONICS SMD or Through Hole | NHDS-08.pdf |