창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ120D2/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 325옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 91.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ120D2/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ120D, 2EZ120D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RT1206CRB079K76L | RES SMD 9.76KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB079K76L.pdf | |
![]() | CES40906MDCB000RB2 | CES40906MDCB000RB2 N/A NULL | CES40906MDCB000RB2.pdf | |
![]() | D70433GB-12 | D70433GB-12 NEC SMD or Through Hole | D70433GB-12.pdf | |
![]() | P51XAG31KBBD | P51XAG31KBBD PHI TQFP64 | P51XAG31KBBD.pdf | |
![]() | ERJ1GEJ110C | ERJ1GEJ110C ORIGINAL SMD or Through Hole | ERJ1GEJ110C.pdf | |
![]() | 1614I | 1614I LINEAR SMD or Through Hole | 1614I.pdf | |
![]() | BQ2012SN-D102 | BQ2012SN-D102 BENCHMARQ SOP-16 | BQ2012SN-D102.pdf | |
![]() | Eca2ahG4R7B | Eca2ahG4R7B PANAS SMD or Through Hole | Eca2ahG4R7B.pdf | |
![]() | XC2S50E-5PQ280C | XC2S50E-5PQ280C XILINH QFP | XC2S50E-5PQ280C.pdf | |
![]() | ADG201ASQ/883 | ADG201ASQ/883 AD SMD or Through Hole | ADG201ASQ/883.pdf | |
![]() | KC2520B16.934 | KC2520B16.934 KYOCERA SMD | KC2520B16.934.pdf | |
![]() | BAS516135 | BAS516135 NXP SOP | BAS516135.pdf |