창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ11DE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ11DE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ11DE, 2EZ11DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 08051JR65ABTTR | 0.65pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051JR65ABTTR.pdf | |
![]() | P3519R-823J | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 387mA 1.96 Ohm Max Nonstandard | P3519R-823J.pdf | |
![]() | TNPW04022K80BEED | RES SMD 2.8K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04022K80BEED.pdf | |
![]() | 305A-70 | 305A-70 ALAN SMA | 305A-70.pdf | |
![]() | LM2608ATLX1.8(S44A) | LM2608ATLX1.8(S44A) N/A NULL | LM2608ATLX1.8(S44A).pdf | |
![]() | SST39VF080-55-4C-EIE | SST39VF080-55-4C-EIE SST TSSOP | SST39VF080-55-4C-EIE.pdf | |
![]() | YB1200SC70-1.8G | YB1200SC70-1.8G YOBON SMD or Through Hole | YB1200SC70-1.8G.pdf | |
![]() | OZ711M1B | OZ711M1B HICRO BGA | OZ711M1B.pdf | |
![]() | 888N1-1CH-F-C 12 | 888N1-1CH-F-C 12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 888N1-1CH-F-C 12.pdf | |
![]() | STT181GK16 | STT181GK16 Sirectifier 181A1600V | STT181GK16.pdf | |
![]() | 336M25EP0300 | 336M25EP0300 AVX SMD or Through Hole | 336M25EP0300.pdf | |
![]() | D703100AGJ-33-8EU | D703100AGJ-33-8EU NEC TQFP | D703100AGJ-33-8EU.pdf |