창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2DB1386Q-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2DB1386(Q,R) | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V | |
전력 - 최대 | 1W | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 2DB1386Q-13-ND 2DB1386Q-13DITR 2DB1386Q13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2DB1386Q-13 | |
관련 링크 | 2DB138, 2DB1386Q-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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AX-28.636360-MAHV-T | 28.63636MHz ±30ppm 수정 8pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AX-28.636360-MAHV-T.pdf | ||
![]() | 5022R-303G | 30µH Unshielded Inductor 348mA 2.8 Ohm Max 2-SMD | 5022R-303G.pdf | |
![]() | HSCDANN001PDAA3 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0.33 V ~ 2.97 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | HSCDANN001PDAA3.pdf | |
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![]() | 2SC2712-V | 2SC2712-V TOSHIBA SOT-23 | 2SC2712-V.pdf | |
![]() | 1500000000000 | 1500000000000 AD SMD or Through Hole | 1500000000000.pdf | |
![]() | ESF338M010AL6AA | ESF338M010AL6AA ARCOTRNI DIP-2 | ESF338M010AL6AA.pdf | |
![]() | IVA-05209-TR1 | IVA-05209-TR1 HP SOP-8 | IVA-05209-TR1.pdf | |
![]() | MCHC11E1FN3 | MCHC11E1FN3 MOT PLCC | MCHC11E1FN3.pdf | |
![]() | SG2425J | SG2425J SG DIP | SG2425J.pdf |