창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2DB1132Q-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2DB1132(P,Q,R) | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 32V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 190MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 2DB1132Q13 2DB1132QDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2DB1132Q-13 | |
| 관련 링크 | 2DB113, 2DB1132Q-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1124DE1-100.0000T | 100MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124DE1-100.0000T.pdf | |
| P0762.684NLT | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 5.3 Ohm Max Nonstandard | P0762.684NLT.pdf | ||
![]() | 8-1415353-1 | SR6D4021 | 8-1415353-1.pdf | |
![]() | FZK131 | FZK131 SIEMENS DIP | FZK131.pdf | |
![]() | LSI2096VE-135LT128I | LSI2096VE-135LT128I LATTICE QFP | LSI2096VE-135LT128I.pdf | |
![]() | 0402CS-9N5XJBW | 0402CS-9N5XJBW COILCRAFT SMD or Through Hole | 0402CS-9N5XJBW.pdf | |
![]() | RM75TMP-H | RM75TMP-H MITSUBISHI MODULE | RM75TMP-H.pdf | |
![]() | EKZH100ESS152MJ16S | EKZH100ESS152MJ16S NIPPON DIP | EKZH100ESS152MJ16S.pdf | |
![]() | 11T-4001B | 11T-4001B SMD SMD or Through Hole | 11T-4001B.pdf | |
![]() | HA16158 | HA16158 HITACHI SOP16 | HA16158.pdf | |
![]() | E1G1W | E1G1W NO 3SOT-23 | E1G1W.pdf | |
![]() | C0603C681J5GAC7867 | C0603C681J5GAC7867 ORIGINAL SMD DIP | C0603C681J5GAC7867.pdf |