창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-293D105X9010A2TE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 293D Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | Conformal Coated Tantalum Capacitors Molded Tantalum Surface Mount Capacitors | |
| PCN 설계/사양 | Adding of Halogen Free Id 23/Dec/2014 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 탄탈룸 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay Sprague | |
| 계열 | TANTAMOUNT® 293D | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 10V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 9.6옴 | |
| 유형 | 성형 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 제조업체 크기 코드 | A | |
| 특징 | 부하 경감 권장, 범용 | |
| 수명 @ 온도 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 293D105X9010A2TE3 | |
| 관련 링크 | 293D105X90, 293D105X9010A2TE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ECQ-V1J823JM | 0.082µF Film Capacitor 63V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.295" L x 0.126" W (7.50mm x 3.20mm) | ECQ-V1J823JM.pdf | |
![]() | 173D334X9035U | 0.33µF Molded Tantalum Capacitors 35V Axial 0.095" Dia x 0.260" L (2.41mm x 6.60mm) | 173D334X9035U.pdf | |
![]() | FDMC2610 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 | FDMC2610.pdf | |
![]() | R3111D251A-TR-FE | R3111D251A-TR-FE RICOH SMD or Through Hole | R3111D251A-TR-FE.pdf | |
![]() | RK73N2BTTDD221P | RK73N2BTTDD221P KOA SMD or Through Hole | RK73N2BTTDD221P.pdf | |
![]() | 0402CG6R8D9B200 | 0402CG6R8D9B200 PHI SMD or Through Hole | 0402CG6R8D9B200.pdf | |
![]() | 1.8Ω ±5% 10W | 1.8Ω ±5% 10W ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.8Ω ±5% 10W.pdf | |
![]() | IBM938M | IBM938M IBM BGA | IBM938M.pdf | |
![]() | MAX3272AETG+T | MAX3272AETG+T MAXIM QFN | MAX3272AETG+T.pdf | |
![]() | MVT207012/PR/GP1R | MVT207012/PR/GP1R MITEL SMD or Through Hole | MVT207012/PR/GP1R.pdf | |
![]() | FWIXP428BB | FWIXP428BB INTEL BGA | FWIXP428BB.pdf |