창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-2526-1E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 2526-1E | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP8 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 2526-1E | |
관련 링크 | 2526, 2526-1E 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | UHZ1A152MPM | 1500µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UHZ1A152MPM.pdf | |
![]() | STPS3L60U | DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB | STPS3L60U.pdf | |
![]() | ERJ-S03F2263V | RES SMD 226K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F2263V.pdf | |
![]() | HC6F700-S | HC6F700-S LEM SMD or Through Hole | HC6F700-S.pdf | |
![]() | 57-40-43 | 57-40-43 weinschel N | 57-40-43.pdf | |
![]() | MBCG21103-501A | MBCG21103-501A FUJI QFP | MBCG21103-501A.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CF7 (DDR2 1G/800 SO-DIMM) | M470T2864QZ3-CF7 (DDR2 1G/800 SO-DIMM) Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CF7 (DDR2 1G/800 SO-DIMM).pdf | |
![]() | MNR34J5ABJ111-110R | MNR34J5ABJ111-110R ROHM 1206X4 | MNR34J5ABJ111-110R.pdf | |
![]() | CD40668CM | CD40668CM ORIGINAL SOP-14 | CD40668CM.pdf | |
![]() | LC66506B-4875 | LC66506B-4875 SANYO QFP-64P | LC66506B-4875.pdf | |
![]() | 2SA1441K | 2SA1441K NEC TO-220F | 2SA1441K.pdf |