창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-250VXR820MEFCSN35X35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VXR Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Rubycon | |
계열 | VXR | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 820µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 250V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 7000시간(105°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 105°C | |
분극 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2A | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 250VXR820MEFCSN35X35 | |
관련 링크 | 250VXR820MEF, 250VXR820MEFCSN35X35 데이터 시트, Rubycon 에이전트 유통 |
![]() | BSS138-7 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 | BSS138-7.pdf | |
![]() | KM416V1200AT/BT/CT-L6/L7/6 | KM416V1200AT/BT/CT-L6/L7/6 MEMORY SMD | KM416V1200AT/BT/CT-L6/L7/6.pdf | |
![]() | COP420-PTB/N | COP420-PTB/N NS DIP | COP420-PTB/N.pdf | |
![]() | RD75E-T1B | RD75E-T1B NEC DO35 | RD75E-T1B.pdf | |
![]() | ECJVFOJ225Z0603-225Z | ECJVFOJ225Z0603-225Z ORIGINAL SMD or Through Hole | ECJVFOJ225Z0603-225Z.pdf | |
![]() | 05K2287 | 05K2287 AMD SOP | 05K2287.pdf | |
![]() | ES3MBe3/TR13 | ES3MBe3/TR13 Microsemi SMD or Through Hole | ES3MBe3/TR13.pdf | |
![]() | FR1117S-5.0 | FR1117S-5.0 FirstSilicon SMD or Through Hole | FR1117S-5.0.pdf | |
![]() | LX2201CLQ | LX2201CLQ Microsemi 20-MLPQ | LX2201CLQ.pdf | |
![]() | FSU10A60(N6L15S) | FSU10A60(N6L15S) ORIGINAL SMD or Through Hole | FSU10A60(N6L15S).pdf | |
![]() | 95C06B3GWRT | 95C06B3GWRT GHY SMD or Through Hole | 95C06B3GWRT.pdf |