창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-220uF/6.3V (F950J227MG) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 220uF/6.3V (F950J227MG) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 220uF/6.3V (F950J227MG) | |
| 관련 링크 | 220uF/6.3V (F, 220uF/6.3V (F950J227MG) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-F4165JLB | 1.6µF Film Capacitor 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.102" L x 0.559" W (28.00mm x 14.20mm) | ECW-F4165JLB.pdf | |
![]() | BLM15PD121SN1D | 120 Ohm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount Power Line 1.3A 1 Lines 90 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM15PD121SN1D.pdf | |
![]() | MBB02070C5108FCT00 | RES 5.1 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C5108FCT00.pdf | |
![]() | H5TQ1G43BFR-H9C | H5TQ1G43BFR-H9C Samsung DDR 64Mx8 PC400 | H5TQ1G43BFR-H9C.pdf | |
![]() | 2012LN0.39UH(R39K) | 2012LN0.39UH(R39K) ORIGINAL SMD or Through Hole | 2012LN0.39UH(R39K).pdf | |
![]() | PIC18F67K60-I/PT | PIC18F67K60-I/PT MICROCHIP TQFP64 | PIC18F67K60-I/PT.pdf | |
![]() | EV2G568M76150 | EV2G568M76150 SAMW DIP2 | EV2G568M76150.pdf | |
![]() | HLM358-P | HLM358-P ORIGINAL DIP-8 | HLM358-P.pdf | |
![]() | CSHD10-45L | CSHD10-45L ORIGINAL SMD or Through Hole | CSHD10-45L.pdf | |
![]() | RT171 | RT171 ORIGINAL SMD or Through Hole | RT171.pdf | |
![]() | ATA12001DIC | ATA12001DIC ANA SMD or Through Hole | ATA12001DIC.pdf | |
![]() | 80F-03L | 80F-03L YDS SMD or Through Hole | 80F-03L.pdf |