- 218S2EBNA45
- 제조업체 부품 번호
- 218S2EBNA45
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- 218S2EBNA45 ATI BGA
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
218S2EBNA45 가격 및 조달
가능 수량
80570 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 218S2EBNA45 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. 218S2EBNA45 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 218S2EBNA45가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- 218S2EBNA45 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
218S2EBNA45 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-218S2EBNA45 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 218S2EBNA45 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 218S2EBNA45 | |
| 관련 링크 | 218S2E, 218S2EBNA45 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
218S2EBNA45 의 관련 제품
 | ISC1210BN470J | 47µH Shielded Wirewound Inductor 100mA 8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN470J.pdf | |
 | RCP0603B1K30GEA | RES SMD 1.3K OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B1K30GEA.pdf | |
| BGX885N | BGX885N NXP SMD or Through Hole | BGX885N.pdf | |
| NRLRW822M25V25x25 SF | NRLRW822M25V25x25 SF NIC DIP | NRLRW822M25V25x25 SF.pdf | |
| S21160 | S21160 Microsemi MODULE | S21160.pdf | |
| EPM5032LJ-20 | EPM5032LJ-20 ALTERA PLCC | EPM5032LJ-20.pdf | |
| FL1(FL2)TERAL AC200 | FL1(FL2)TERAL AC200 PANASONIC/ SMD or Through Hole | FL1(FL2)TERAL AC200.pdf | |
| TK71615ASCLH-G | TK71615ASCLH-G TOKO SOT23-5 | TK71615ASCLH-G.pdf | |
| EPMT128SQC100-S | EPMT128SQC100-S ALTERA QFP | EPMT128SQC100-S.pdf | |
| 2SB649A-C | 2SB649A-C HIT TO-126 | 2SB649A-C.pdf | |
| HD64F2111BTE10V-H8S | HD64F2111BTE10V-H8S HIT TQFP144 | HD64F2111BTE10V-H8S.pdf | |
| TQD10ZGE-A | TQD10ZGE-A IPD SMD or Through Hole | TQD10ZGE-A.pdf |