창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SV308(TH3,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1SV308 | |
| 카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | ESC | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1SV308(TH3F)CT 1SV308FCT 1SV308FCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1SV308(TH3,F) | |
| 관련 링크 | 1SV308(, 1SV308(TH3,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-6GEYJ112V | RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6GEYJ112V.pdf | |
![]() | RT2010BKD071K5L | RES SMD 1.5K OHM 0.1% 1/2W 2010 | RT2010BKD071K5L.pdf | |
![]() | RCP1206W100RGTP | RES SMD 100 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W100RGTP.pdf | |
![]() | LM3014 | LM3014 AT SMD or Through Hole | LM3014.pdf | |
![]() | SIA2224AO1-DOBO | SIA2224AO1-DOBO ORIGINAL SMD or Through Hole | SIA2224AO1-DOBO.pdf | |
![]() | F931A226MCC(10V22UF) | F931A226MCC(10V22UF) NICHICON C | F931A226MCC(10V22UF).pdf | |
![]() | STC89C53RC+40I-PDIP | STC89C53RC+40I-PDIP STC DIP-40 | STC89C53RC+40I-PDIP.pdf | |
![]() | 71024s15YG8 | 71024s15YG8 IDT SMD or Through Hole | 71024s15YG8.pdf | |
![]() | QS3L2384ZQ | QS3L2384ZQ IDT SMD or Through Hole | QS3L2384ZQ.pdf | |
![]() | ADC1210HD/AD1210D | ADC1210HD/AD1210D NS DIP | ADC1210HD/AD1210D.pdf | |
![]() | NDS8410A(TSTDTS) | NDS8410A(TSTDTS) FAIRCHILD SMD or Through Hole | NDS8410A(TSTDTS).pdf | |
![]() | MAX420CSE | MAX420CSE MAXIM SOP8 | MAX420CSE.pdf |