창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SV285TPH3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1SV285 | |
| 카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 2.35pF @ 4V, 1MHz | |
| 정전 용량비 | 2.3 | |
| 용량비 조건 | C1/C4 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
| 다이오드 유형 | 단일 | |
| Q @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | ESC | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1SV285 (TH3,F) 1SV285(TH3,F) 1SV285(TH3,F,T) 1SV285(TH3,F,T)-ND 1SV285(TH3F)TR 1SV285(TH3F)TR-ND 1SV285(TPH3,F) 1SV285(TPH3F)TR 1SV285(TPH3F)TR-ND 1SV285FTR 1SV285FTR-ND 1SV285TPH3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1SV285TPH3F | |
| 관련 링크 | 1SV285, 1SV285TPH3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 402F38433CDT | 38.4MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F38433CDT.pdf | |
![]() | RT1206FRD0780K6L | RES SMD 80.6K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0780K6L.pdf | |
![]() | H5PS5182FFP-Y5C | H5PS5182FFP-Y5C HYNIX BGA | H5PS5182FFP-Y5C.pdf | |
![]() | 4631104 | 4631104 MICROCHI TSSOP-16 | 4631104.pdf | |
![]() | PL1663-24212-001T | PL1663-24212-001T SMD SMD | PL1663-24212-001T.pdf | |
![]() | 172178 | 172178 AMPHENOL/WSI SMD or Through Hole | 172178.pdf | |
![]() | 68001-106HLF | 68001-106HLF FCI SMD or Through Hole | 68001-106HLF.pdf | |
![]() | LT1763CDE1.8 | LT1763CDE1.8 LINEAR DFN-16 | LT1763CDE1.8.pdf | |
![]() | 11351CQB-10CCG-Z | 11351CQB-10CCG-Z TI QFP 100 | 11351CQB-10CCG-Z.pdf | |
![]() | B82462-G2334M | B82462-G2334M EPCOS SMD | B82462-G2334M.pdf | |
![]() | 1743F | 1743F ORIGINAL SMD or Through Hole | 1743F.pdf |